技術最關鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用純錫（Sn）或金錫（Au-Sn）合金作接觸面鍍層，晶粒可焊接于鍍有金或銀的基板上。當基板被加熱至適合的共晶溫度時（圖5），金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的改變提高溶點，令共晶層固化并將LED發光二極管緊固的焊于熱沉或基板上。選擇共晶溫度視乎晶粒、基板及器件材料耐熱程度及往后SMT回焊制程時的溫度要求。考慮共晶固晶機臺時，除高位置精度外，另一重要條件就是有靈活而且穩定的溫度控制，加有氮氣或混合氣體裝置，有助于在共晶過程中作防氧化保護。當然和銀漿固晶一樣，要達至高精度的固晶，有賴于嚴謹的機械設計及高精度的馬達運動，才能令焊頭運動和焊力控制恰到好處之余，亦無損高產能及高良品率的要求。

進行共晶焊接工藝時亦可加入助焊劑，這技術最大的特點是無須額外附加焊力，故此不會因固晶焊力過大而令過多的共晶合金溢出，減低LED產生短路的機會。